MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8

Rohm Semiconductor

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:2A，1.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:325 毫欧 @ 2A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.7nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):290pF @ 25V,功率 - 最大值:1.5W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SMD，扁平引线,供应商器件封装:TSMT8

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